基于SOI CMOS 工艺的LDO 电路设计
[摘要] 设计了一种1. 8 ～ 3. 3 V 的自偏置LDO 电路，无需外加基准电路，且具有良好的负载调整率和工艺兼容性。该电路采用无需双极型晶体管的基准电路，并且在负载电压和负载电流之间采用电流倍增电路进行隔离，减小了负载电流瞬变造成低压差线性稳压器( LDO) 输出电压的变化，提高了LDO 的瞬态精度。在关键器件部分采用匹配结构，以减小工艺误差对电路性能造成的影响。
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