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低温PECVD沉积高质量SiO2
[摘要] 低温PECVD沉积高质量SiO2
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上线日期:2013-06-24
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PECVD技术简述
[摘要] PECVD借助于气体辉光放电产生的低温等离子体,增强 反应物质的化学活性,促进了气体间的化学反应,从而低温 下也能在基板上形成新的固体膜。
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双层二氧化硅和氮化硅中的电荷存储
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CT-PECVD培训
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PECVD沉积氮化硅薄膜在退火过程中的特性变化及在太阳电池中的应用
[摘要] 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD) ,在单晶硅衬底上生长氮化硅(SiN) 薄膜,再对薄膜进行快速热退火处理,研究了在不同温度下SiN 薄膜的退火特性. 通过椭圆偏振光仪测量了薄膜厚度和薄膜的折射率,发现退火后薄膜的厚度下降,折射率升高; 采用准稳态光电导衰减QSSPCD ···
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上线日期:2012-12-29
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[摘要] 低应力PECVD氮化硅薄膜工艺探讨
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