PECVD 沉积氮化硅薄膜在退火过程中的特性变化
[摘要] 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD) ,在单晶硅衬底上生长氮化硅(SiN) 薄膜,再对薄膜进行快速热退火处理,研究了在不同温度下SiN 薄膜的退火特性. 通过椭圆偏振光仪测量了 薄膜厚度和薄膜的折射率,发现退火后薄膜的厚度下降,折射率升高; 采用准稳态光电导衰减QSSPCD 测少数载流子寿命,发现少子寿命有很大程度的下降. 还研究了SiN 薄膜对多晶硅电池性能的影响,发现它能较大幅度地提高电池效率.
下载说明: 上线日期：2012-06-20 | 下载次数：16次 | 文件大小：0.09MB | 文件格式：PDF
相关下载资料
- 文件格式
- 白皮书简介
- 文件大小
- 文件格式：
-
双层二氧化硅和氮化硅中的电荷存储
[摘要] 双层二氧化硅和氮化硅中的电荷存储
-
上线日期：2013-05-28
下载次数：10次
文件大小：0.3M
- 文件格式：
-
PECVD沉积氮化硅薄膜在退火过程中的特性变化及在太阳电池中的应用
[摘要] 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD) ,在单晶硅衬底上生长氮化硅(SiN) 薄膜,再对薄膜进行快速热退火处理,研究了在不同温度下SiN 薄膜的退火特性. 通过椭圆偏振光仪测量了薄膜厚度和薄膜的折射率,发现退火后薄膜的厚度下降,折射率升高; 采用准稳态光电导衰减QSSPCD ···
-
上线日期：2012-12-29
下载次数：15次
文件大小：0.09M
- 文件格式：
-
氮化硅薄膜的性能研究以及在多晶硅太阳电池上的应用
[摘要] 氮化硅薄膜的性能研究以及在多晶硅太阳电池上的应用
-
上线日期：2012-10-09
下载次数：11次
文件大小：0.19M
- 文件格式：
-
氮化硅薄膜的PECVD沉积工艺与绝缘耐压性能
[摘要] 氮化硅薄膜的PECVD沉积工艺与绝缘耐压性能
-
上线日期：2012-10-09
下载次数：14次
文件大小：0.09M
- 文件格式：
-
低应力PECVD氮化硅薄膜工艺探讨
[摘要] 低应力PECVD氮化硅薄膜工艺探讨
-
上线日期：2012-09-18
下载次数：14次
文件大小：0.13M
- 文件格式：
-
氮化硅薄膜对晶体硅材料和电池的钝化效果研究
[摘要] 氮化硅薄膜对晶体硅材料和电池的钝化效果研究
-
上线日期：2012-09-18
下载次数：52次
文件大小：0.23M
- 文件格式：
-
大型规模以上工业的MC-Si太阳电池选择性发射极形成 氢等离子体和湿法刻蚀
[摘要] 大型规模以上工业的MC-Si太阳电池选择性发射极形成 氢等离子体和湿法刻蚀
-
上线日期：2012-07-19
下载次数：11次
文件大小：0.19M
- 文件格式：
-
PECVD氮化硅薄膜的沉积和退火特性_英文_
[摘要] PECVD氮化硅薄膜的沉积和退火特性_英文_
-
上线日期：2012-06-20
下载次数：10次
文件大小：0.3M
- 文件格式：
-
PECVD氮化硅膜的制备及其红外光谱分析
[摘要] PECVD氮化硅膜的制备及其红外光谱分析
-
上线日期：2012-06-20
下载次数：11次
文件大小：0.23M
- 文件格式：
-
交替频率PECVD方法沉积低应力氮化硅薄膜及其性质研究
[摘要] 交替频率PECVD方法沉积低应力氮化硅薄膜及其性质研究
-
上线日期：2012-06-20
下载次数：9次
文件大小：0.48M
推荐下载
