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p_SiTFT栅绝缘层用SiN_x薄膜界面特性的研究
[摘要] 以NH3 和SiH4 为反应源气体,在低温下采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD) 法在多晶硅(p2Si) 衬底上沉积了SiNx 薄膜。系统地分析讨论了沉积温度、射频功率、反应源气体流量比对SiNx 薄膜界面特性的影响。
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- 2012-06-20
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PECVDSiN_x薄膜应力的研究
[摘要] 等离子增强化学气相淀积（P lasma2enhanced Chem ical V aper Depo sit ion， PECVD ）SiN x 薄膜在微电子和微机械领域的应用越来越重要。 它的一个重要的物理参数—— 机械应力， 也逐渐被人们所重视。 本文研究了应力跟一些基本的淀···
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- 2012-06-20
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德国Centrotherm_PECVD设备E2000中文说明书
[摘要] Centrotherm PECVD系统是管式系统，采用平行式石墨舟和低频（40kHz）激发等离子体放电。在低压和高温的条件下，等离子体在石墨舟的石墨惦记之间激发。反应的气体是硅烷和氨气。这些气体反应之后沉积到衬底（硅片）上，形成氮化硅薄膜。薄膜的折射率可以通过调整两种气体的比···
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- 2012-05-31
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等离子纳米杯光散射性质的研究
[摘要] 该研究报道了等离子纳米杯的光散射性质与光谱和角度因素的依赖关系，采用USB4000（VIS-NIR）收集样品的背散射光信息，表明等离子体振子的两种振动模式对介电基底及其局域介电系数十分敏感，这一灵敏特性使之具备应用于纳米天线的潜质。
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- 2012-04-17
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晶体硅等离子刻蚀技术
[摘要] 晶体硅等离子刻蚀技术
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- 2012-04-10
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等离子体_热丝CVD技术制备多晶硅薄膜
[摘要] 摘要: 采用热丝化学气相沉积和等离子体增强化学气相沉积相结合的技术制备了多晶硅薄膜, 通过Raman散射、XRD、吸收谱等手段研究了薄膜结构和光学性质. 结果表明, 与单纯的热丝和等离子体技术相比, 等离子体2热丝CVD技术在一定条件下有助于薄膜的晶化和提高薄膜均匀性. Auge···
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- 2012-03-27
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湿法腐蚀的优点
[摘要] 背腐蚀可以用来代替生产中通常使用的等离子刻蚀将扩散后正面和背面的p-n结分开。本文中背腐蚀使用了HF—HNO3体系，没有表面保护。用扫描电镜(SEM)观察了背腐蚀和等离子刻蚀后的表面形貌以及硅／铝界面情况，分析了背反射和内量子效应IQE。用背腐蚀代替等离子刻蚀后晶体硅太阳电池的I···
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- 2012-03-27
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等离子发射光谱法测定蔬菜、水果中矿质元素前处理方法研究
[摘要] 本文通过对几种蔬菜、水果不同的前处理方法进行了比较研究，结果可以看出，由于蔬菜、水果新鲜多汁性，不同的前处理方法有一定的差异。
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- 2012-03-27
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