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  • 局部背接触结构单晶硅太阳电池的研究
    [摘要] 报道了采用局部背接触结构的激光刻槽埋栅太阳电池的研究结果。模拟分析了局部背接触结构的作用, 设计了合理的电池结构。通过工艺优化,得到了转换效率达到17. 28 %(大气质量AM = 1. 5 G,VOC = 650. 4 mV ,JSC = 33. 15 mA/ cm2 , ···
    下载说明: 下载次数:173次
  • 2009-03-25
  • 0.28M
  • 单晶硅各向异性腐蚀的微观动态模拟
    [摘要] 根据单晶硅各向异性腐蚀的特点,以晶格内部原子键密度为主要因素,温度、腐蚀液浓度等环境因素为校正因子,建立了一个新颖的硅各向异性腐蚀的计算机模拟模型。
    下载说明: 下载次数:134次
  • 2009-03-25
  • 0.36M
  • 晶体硅光伏(PV)方阵I-V特性的现场测量
    [摘要] 本标准描述晶体硅光伏方阵特性的现场测量及将测得的数据外推到标准测试条件(STC)或其他选定的温度和辐照度条件下的程序。
    下载说明: 下载次数:231次
  • 2009-03-10
  • 0.32M
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