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  • 硅多晶真空区熔基硼检验方法
    [摘要] 本标准适用于三氯氢硅及四氯化硅还原在细硅芯上沉积硅多晶所生长出来的硅多晶棒。检测杂质浓度有效范围0.02~20ppba。P型电阻率范围500~10000Ω.cm。
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  • 2011-07-19
  • 0.1M
  • 6月份多晶硅月评
    [摘要] 步入6月份以后,国内多晶硅跌幅收窄不少,单月降价幅度由5月的30%放缓至13.1%,多晶硅价格的一路迫降不仅使得今年价格屡创新低,甚至也与2008年以来的国内最低价不相上下。惨淡的市场行情不仅令大部分多晶硅企业如坐针毡,也使得太阳能行业再次成为关注的重点。
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  • 2011-07-01
  • 0.01M
  • 多晶硅与单晶硅的扩散分析
    [摘要] 多晶硅片是由很多不同的单晶硅组成,各单晶晶粒晶向不同,形状也不规则。同一晶粒内部原子排列呈周期性和有序性。多晶硅与单晶硅的主要区别是不同晶向的晶粒间存在晶界。晶粒间结构复杂,硅原子无序排列,可能存在深能级缺陷的杂质。
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  • 2011-05-20
  • 0.14M
  • 2011年一季度中国多晶硅产业观察
    [摘要] 2011年1季度中国多晶硅产业,甚至整个中国光伏领域最受关注的事件,莫过于酝酿多时的《多晶硅行业准入条件》的最终颁布。而这其中“门槛”的大幅提高,则是相关细则很直白的体现。虽然2009年国务院“38号文”的发布,也可以看作是中国多晶硅政策收紧的体现,但《多晶硅行业准入条件》的“收···
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  • 2011-05-12
  • 0.45M
  • 中国多晶硅行业特征分析
    [摘要] 多晶硅生产商对于下游的电池、组件企业而言是卖方,总体来看,由于整个国内太阳能光伏产业的金字塔型结构特性,越往上游,进入的门槛越高,企业的数量也越少;再加上现阶段市场供应能力的增长速度远远赶不上需求的增长速度,因此处于产业链上游的多晶硅提炼环节有一定的价格控制力。
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  • 2010-12-10
  • 0.22M
  • 多晶硅制备详细流程及图解
    [摘要] 要把冶金硅变成半导体硅或太阳级硅,显然不可能在保持固态的状态下提纯,而必须把冶金硅变成含硅的气体,先通过分馏与吸附等方法对气体提纯,然后再把高纯的硅源的气体通过化学气相沉积(CVD)的方法转化成为多晶硅。目前生产制造高纯多晶硅的办法,主要有三大流派,即:① 用SIMENS法(又称···
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  • 2010-12-10
  • 0.27M
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