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多晶硅与单晶硅的扩散分析
[摘要] 多晶硅片是由很多不同的单晶硅组成，各单晶晶粒晶向不同，形状也不规则。同一晶粒内部原子排列呈周期性和有序性。多晶硅与单晶硅的主要区别是不同晶向的晶粒间存在晶界。晶粒间结构复杂，硅原子无序排列，可能存在深能级缺陷的杂质。
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- 2011-05-20
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2011年一季度中国多晶硅产业观察
[摘要] 2011年1季度中国多晶硅产业，甚至整个中国光伏领域最受关注的事件，莫过于酝酿多时的《多晶硅行业准入条件》的最终颁布。而这其中“门槛”的大幅提高，则是相关细则很直白的体现。虽然2009年国务院“38号文”的发布，也可以看作是中国多晶硅政策收紧的体现，但《多晶硅行业准入条件》的“收···
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- 2011-05-12
- 0.45M
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多晶硅制备详细流程及图解
[摘要] 要把冶金硅变成半导体硅或太阳级硅，显然不可能在保持固态的状态下提纯，而必须把冶金硅变成含硅的气体，先通过分馏与吸附等方法对气体提纯，然后再把高纯的硅源的气体通过化学气相沉积(CVD)的方法转化成为多晶硅。目前生产制造高纯多晶硅的办法，主要有三大流派，即：① 用SIMENS法(又称···
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- 2010-12-10
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中国多晶硅行业特征分析
[摘要] 多晶硅生产商对于下游的电池、组件企业而言是卖方，总体来看，由于整个国内太阳能光伏产业的金字塔型结构特性，越往上游，进入的门槛越高，企业的数量也越少；再加上现阶段市场供应能力的增长速度远远赶不上需求的增长速度，因此处于产业链上游的多晶硅提炼环节有一定的价格控制力。
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- 2010-12-10
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瑞士IMT关于微晶硅薄膜电池的博士论文
[摘要] MICROCRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS: THEORY, DIAGNOSIS AND STABILITY 著名的瑞士IMT关于微晶硅薄膜电池的博士论文
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- 2009-04-16
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局部背接触结构单晶硅太阳电池的研究
[摘要] 报道了采用局部背接触结构的激光刻槽埋栅太阳电池的研究结果。模拟分析了局部背接触结构的作用, 设计了合理的电池结构。通过工艺优化,得到了转换效率达到17. 28 %(大气质量AM = 1. 5 G,VOC = 650. 4 mV ,JSC = 33. 15 mA/ cm2 , ···
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- 2009-03-25
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单晶硅各向异性腐蚀的微观动态模拟
[摘要] 根据单晶硅各向异性腐蚀的特点,以晶格内部原子键密度为主要因素,温度、腐蚀液浓度等环境因素为校正因子，建立了一个新颖的硅各向异性腐蚀的计算机模拟模型。
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- 2009-03-25
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