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晶体硅等离子刻蚀技术
[摘要] 晶体硅等离子刻蚀技术
下载说明: 下载次数：8次
- 2012-04-10
- 0.57M
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湿法腐蚀的优点
[摘要] 背腐蚀可以用来代替生产中通常使用的等离子刻蚀将扩散后正面和背面的p-n结分开。本文中背腐蚀使用了HF—HNO3体系，没有表面保护。用扫描电镜(SEM)观察了背腐蚀和等离子刻蚀后的表面形貌以及硅／铝界面情况，分析了背反射和内量子效应IQE。用背腐蚀代替等离子刻蚀后晶体硅太阳电池的I···
下载说明: 下载次数：8次
- 2012-03-27
- 0.21M
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制备高亮度 LED的等离子刻蚀技术
[摘要] 现在蓝宝石仍是生长HBLED结构的衬底选择。不过，采用蓝宝石生长也存在两个问题：蓝宝石没有完美的晶格匹配，光提取会因为有两个平行的反射面而减少。未来解决这两个问题
下载说明: 下载次数：51次
- 2012-03-13
- 0.15M
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专家精讲:制备高亮度LED的等离子刻蚀技术
[摘要] 每个HBLED制造商的目标都是花更少的钱获得更多的光输出。面对强大的竞争和众多技术障碍，至关重要的是所有的生产步骤的推进都要产生最佳的效果。优化的等离子刻蚀提供了几种方法以改善器件的输出并降低制造成本，从而实现双重赢利。
下载说明: 下载次数：80次
- 2011-11-17
- 0.08M
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