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TTL电平和CMOS电平总结
[摘要] TTL电路有集电极开路OC门,MOS管也有和集电极对应的漏极开路的OD门,它的输出就叫做开漏输出
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- 2013-06-21
- 0.11M
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基于SOI CMOS 工艺的LDO 电路设计
[摘要] 设计了一种1. 8 ~ 3. 3 V 的自偏置LDO 电路,无需外加基准电路,且具有良好的负载调整率和工艺兼容性。该电路采用无需双极型晶体管的基准电路,并且在负载电压和负载电流之间采用电流倍增电路进行隔离,减小了负载电流瞬变造成低压差线性稳压器( LDO) 输出电压的变化,提高了···
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- 2013-06-14
- 0.68M
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一种用于DPA防御的电流平整电路设计
[摘要] 为提高密码芯片抵抗差分功耗分析(DPA)攻击的能力,提出了一种用于DPA防御的新型电流平整电路.电路设计基于0.18μm CMOS工艺,包括电流检测和电流注入补偿2个模块,占用芯片面积9×103μm2.仿真结果表明:该电路能够在较宽的频率范围内有效工作,可以将电源端的电流变化削减···
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- 2013-06-14
- 0.41M
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全集成型CMOS LDO线性稳压器设计
[摘要] 一种基于0.25 μm CMOS工艺的低功耗片内全集成型LDO线性稳压电路。电路采用由电阻电容反馈网络在LDO输出端引入零点,补偿误差放大器输出极点的方法,避免了为补偿LDO输出极点,而需要大电容或复杂补偿电路的要求。
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- 2012-12-29
- 0.4M
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面向BTI特征分析的在运行中阈值电压测量
[摘要] 传统CMOS工艺缩放技术的发展正逐渐逼近极限,迫切需要采用新材料和新器件设计。随着这些新材料和新设计的出现,人们非常关注潜在失效机理,并需要进行更多的可靠性测试。诸如偏温不稳定性(N-BTI和P-BTI)等失效机理需要高速信号源和测量功能才能解析快速恢复效应。通过分析包括在运行中···
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- 2012-06-18
- 0.51M
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一种高线性度的CMOS调幅电路设计
[摘要] 一种高线性度的CMOS调幅电路设计
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- 2011-11-29
- 0.41M
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低电压CMOS运算放大器输入级的研究
[摘要] 低电压CMOS运算放大器输入级的研究
下载说明: 下载次数:50次
- 2011-08-10
- 0.08M
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通向光版CMOS之路:悄然席卷全球的硅光子技术
[摘要] 通向光版CMOS之路:悄然席卷全球的硅光子技术
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- 2011-08-09
- 0.68M
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