PECVD沉积SiO_2和SiN_X对p_GaN的影响
[摘要] 在等离子增强化学气相沉积法（PECVD）沉积SiO2 和SiNX 掩蔽层过程中， 分解等离子体中浓度较高的H 原子使Mg- 受主钝化， 同时在p！GaN 材料表面发生反应形成浅施主特性的N+V 空位。高能量离子轰击造成的材料深能级缺陷增多以及沉积形成致密的SiO2 和SiNX 材料， 阻碍了H 原子向外扩散， 使H 原子在Ni/Au 电极与p！GaN 的界面处聚集， 造成p！GaN 近表面附近区域Mg！H 络合物密度的提高， 空穴浓度急剧下降， 导致Ni/Au 透明电极I- V 特性严重恶化。
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