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  • 硅片标准
    [摘要] 硅片标准
    下载说明: 下载次数:11次
  • 2013-01-15
  • 0.21M
  • PECVD沉积氮化硅薄膜在退火过程中的特性变化及在太阳电池中的应用
    [摘要] 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD) ,在单晶硅衬底上生长氮化硅(SiN) 薄膜,再对薄膜进行快速热退火处理,研究了在不同温度下SiN 薄膜的退火特性. 通过椭圆偏振光仪测量了薄膜厚度和薄膜的折射率,发现退火后薄膜的厚度下降,折射率升高; 采用准稳态光电导衰减QSSPCD ···
    下载说明: 下载次数:15次
  • 2012-12-29
  • 0.09M
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