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p_SiTFT栅绝缘层用SiN_x薄膜界面特性的研究
[摘要] 以NH3 和SiH4 为反应源气体,在低温下采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD) 法在多晶硅(p2Si) 衬底上沉积了SiNx 薄膜。系统地分析讨论了沉积温度、射频功率、反应源气体流量比对SiNx 薄膜界面特性的影响。
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- 2012-06-20
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PECVD顶级学习资料
[摘要] SiNx:H减反射膜和PECVD技术 SiNx:H简介 SiNx:H在太阳电池中的应用 PECVD原理 光学特性和钝化技术 系统结构及安全事项
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- 2012-03-27
- 0.61M
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PECVD SiNx 薄膜应力的研究
[摘要] 等离子增强化学气相淀积(P lasma2enhanced Chem ical V aper Depo sit ion, PECVD )SiN x 薄膜在微电子和微机械领域的应用越来越重要. 它的一个重要的物理参数—— 机械应力, 也逐渐被人们所重视. 本文研究了应力跟一些基本的淀···
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- 2011-07-20
- 0.3M
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