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铒镱共掺磷硅酸盐光纤的制备及其激光性能研究
[摘要] 利用改进化学气相沉积法(MCVD)的反向沉积工艺, 结合无铝的溶液掺杂技术, 制备了高性能掺磷石英基的铒镱共掺光纤. 反向沉积技术表现出了在纤芯中大量沉积磷这类高温下极易蒸发成分上的优势. 研究表明, 这种光纤中, 铒镱离子能量传递效率极高, 掺磷的石英基质对于促进镱离子对铒离···
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- 2012-08-23
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PECVD 沉积氮化硅薄膜在退火过程中的特性变化
[摘要] 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD) ,在单晶硅衬底上生长氮化硅(SiN) 薄膜,再对薄膜进行快速热退火处理,研究了在不同温度下SiN 薄膜的退火特性. 通过椭圆偏振光仪测量了 薄膜厚度和薄膜的折射率,发现退火后薄膜的厚度下降,折射率升高; 采用准稳态光电导衰减QSSP···
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- 2012-06-20
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NIP型非晶硅薄膜太阳能电池的研究
[摘要] 采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD)技术制备非晶硅(a2Si)NIP 太阳能电池,其中电池的窗口层采用P 型晶化硅薄膜,电池结构为Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / (a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ A···
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- 2012-06-20
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p_SiTFT栅绝缘层用SiN_x薄膜界面特性的研究
[摘要] 以NH3 和SiH4 为反应源气体,在低温下采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD) 法在多晶硅(p2Si) 衬底上沉积了SiNx 薄膜。系统地分析讨论了沉积温度、射频功率、反应源气体流量比对SiNx 薄膜界面特性的影响。
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- 2012-06-20
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等离子体_热丝CVD技术制备多晶硅薄膜
[摘要] 摘要: 采用热丝化学气相沉积和等离子体增强化学气相沉积相结合的技术制备了多晶硅薄膜, 通过Raman散射、XRD、吸收谱等手段研究了薄膜结构和光学性质. 结果表明, 与单纯的热丝和等离子体技术相比, 等离子体2热丝CVD技术在一定条件下有助于薄膜的晶化和提高薄膜均匀性. Auge···
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- 2012-03-27
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化学气相沉积与无机新材料
[摘要] 化学气相沉积是近一、二十年发展起来的无机材料的新技术。化学气相沉积法已经广泛用于提纯物质、研制新晶体·淀积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料。
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- 2012-03-20
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