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PECVD技术简述
[摘要] PECVD借助于气体辉光放电产生的低温等离子体，增强 反应物质的化学活性，促进了气体间的化学反应，从而低温 下也能在基板上形成新的固体膜。
下载说明: 下载次数：22次
- 2013-05-28
- 0.24M
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双层二氧化硅和氮化硅中的电荷存储
[摘要] 双层二氧化硅和氮化硅中的电荷存储
下载说明: 下载次数：10次
- 2013-05-28
- 0.3M
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PECVD沉积氮化硅薄膜在退火过程中的特性变化及在太阳电池中的应用
[摘要] 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD) ,在单晶硅衬底上生长氮化硅(SiN) 薄膜,再对薄膜进行快速热退火处理,研究了在不同温度下SiN 薄膜的退火特性. 通过椭圆偏振光仪测量了薄膜厚度和薄膜的折射率,发现退火后薄膜的厚度下降,折射率升高; 采用准稳态光电导衰减QSSPCD ···
下载说明: 下载次数：15次
- 2012-12-29
- 0.09M
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氮化硅薄膜的性能研究以及在多晶硅太阳电池上的应用
[摘要] 氮化硅薄膜的性能研究以及在多晶硅太阳电池上的应用
下载说明: 下载次数：11次
- 2012-10-09
- 0.19M
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氮化硅薄膜的PECVD沉积工艺与绝缘耐压性能
[摘要] 氮化硅薄膜的PECVD沉积工艺与绝缘耐压性能
下载说明: 下载次数：14次
- 2012-10-09
- 0.09M
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低应力PECVD氮化硅薄膜工艺探讨
[摘要] 低应力PECVD氮化硅薄膜工艺探讨
下载说明: 下载次数：14次
- 2012-09-18
- 0.13M
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氮化硅薄膜对晶体硅材料和电池的钝化效果研究
[摘要] 氮化硅薄膜对晶体硅材料和电池的钝化效果研究
下载说明: 下载次数：52次
- 2012-09-18
- 0.23M
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PECVD 沉积氮化硅薄膜在退火过程中的特性变化
[摘要] 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD) ,在单晶硅衬底上生长氮化硅(SiN) 薄膜,再对薄膜进行快速热退火处理,研究了在不同温度下SiN 薄膜的退火特性. 通过椭圆偏振光仪测量了 薄膜厚度和薄膜的折射率,发现退火后薄膜的厚度下降,折射率升高; 采用准稳态光电导衰减QSSP···
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- 2012-06-20
- 0.09M
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