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p_SiTFT栅绝缘层用SiN_x薄膜界面特性的研究
[摘要] 以NH3 和SiH4 为反应源气体,在低温下采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD) 法在多晶硅(p2Si) 衬底上沉积了SiNx 薄膜。系统地分析讨论了沉积温度、射频功率、反应源气体流量比对SiNx 薄膜界面特性的影响。
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- 2012-06-20
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PECVDSiN_x薄膜应力的研究
[摘要] 等离子增强化学气相淀积（P lasma2enhanced Chem ical V aper Depo sit ion， PECVD ）SiN x 薄膜在微电子和微机械领域的应用越来越重要。 它的一个重要的物理参数—— 机械应力， 也逐渐被人们所重视。 本文研究了应力跟一些基本的淀···
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- 2012-06-20
- 0.3M
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PECVD沉积SiO_2和SiN_X对p_GaN的影响
[摘要] 在等离子增强化学气相沉积法（PECVD）沉积SiO2 和SiNX 掩蔽层过程中， 分解等离子体中浓度较高的H 原子使Mg- 受主钝化， 同时在p！GaN 材料表面发生反应形成浅施主特性的N+V 空位。高能量离子轰击造成的材料深能级缺陷增多以及沉积形成致密的SiO2 和SiNX 材···
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- 2012-06-20
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FTTx无忧运维的全程保障
[摘要] “快速部署，轻松运维”的华为FTTx全生命周期运维解决方案，覆盖FTTx网络的终端、ONU、ODN和OLT，为网络规划、网络部署、业务发放、日常维护以及网络优化等端到端环节，提供整体运维解决方案，使网络部署更便捷、业务发放更高效、日常维护更简单。
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- 2012-06-14
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Regulated low cost pre-treatment step for surface texturization of large area
[摘要] Regulated low cost pre-treatment step for surface texturization of large area
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- 2012-06-11
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基于ARM的多路温度监控系统的设计
[摘要] 针对工业过程控制中温度控制的参数时变和多测控点等特点，且要有较好的温度准确度和稳定度的问题， 提出了一种基于Linux 操作系统在ARM 嵌入式系统上的通用多路工业温度控制系统。
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- 2012-06-05
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PMC 城域OTN处理器 HyPHY_Flex产品框图
[摘要] PMC 城域OTN处理器 HyPHY_Flex产品框图,包含： OTN在城域网中的机遇；新一代针对城域应用的 OTN；紧凑型城域接入设备应用；OTN/分组业务交换 （P-OTP、PE-OTN）应用；波长光交叉（Transponder和 Muxponder）应用。
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- 2012-06-01
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ML10激光干涉仪使用文档
[摘要] 新型XL-80激光干涉仪系统在便携性、系统精度及动态测量性能方面获得显著提高。其使用更快捷、方便，且保留了纯粹干涉测量系统的优点，该系统结合了成熟的技术及丰富的经验，使得Renishaw激光系统成为全球用户的首选系统。
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- 2012-05-10
- 1.05M
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