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p_SiTFT栅绝缘层用SiN_x薄膜界面特性的研究
[摘要] 以NH3 和SiH4 为反应源气体,在低温下采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD) 法在多晶硅(p2Si) 衬底上沉积了SiNx 薄膜。系统地分析讨论了沉积温度、射频功率、反应源气体流量比对SiNx 薄膜界面特性的影响。
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- 2012-06-20
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PECVDSiN_x薄膜应力的研究
[摘要] 等离子增强化学气相淀积（P lasma2enhanced Chem ical V aper Depo sit ion， PECVD ）SiN x 薄膜在微电子和微机械领域的应用越来越重要。 它的一个重要的物理参数—— 机械应力， 也逐渐被人们所重视。 本文研究了应力跟一些基本的淀···
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- 2012-06-20
- 0.3M
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PECVD沉积SiO_2和SiN_X对p_GaN的影响
[摘要] 在等离子增强化学气相沉积法（PECVD）沉积SiO2 和SiNX 掩蔽层过程中， 分解等离子体中浓度较高的H 原子使Mg- 受主钝化， 同时在p！GaN 材料表面发生反应形成浅施主特性的N+V 空位。高能量离子轰击造成的材料深能级缺陷增多以及沉积形成致密的SiO2 和SiNX 材···
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- 2012-06-20
- 0.72M
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