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  • LD泵浦Nd:LuVO4/Cr:YAG被动调Q激光器
    [摘要] 采用大功率半导体激光器端面泵浦Nd:LuVO4晶体,利用Cr:YAG晶体作为可饱和吸收元件,实现了1.06微米激光的被动调Q运转。
    下载说明: 下载次数:119次
  • 2011-07-27
  • 0.53M
  • 低温生长GaAs在Nd:YVO4激光器中调Q特性的研究
    [摘要] 研究了激光器的调Q特性,调Q抽运阈值为2W。在抽运功率9.2W时,获得的最短脉冲半峰全宽为15ns,最大单脉冲能量为4.84微J,最高峰值功率为330W,最大平均输出功率为1.16W;脉冲重复频率在220kHz到360kHz之间。
    下载说明: 下载次数:31次
  • 2011-07-27
  • 1.14M
  • 德州半导体LED照明参考设计
    [摘要] TI 的新版LED参考设计指南包括通用照明、背光照明和汽车照明的17款参考设计。
    下载说明: 下载次数:839次
  • 2011-06-28
  • 8.1M
  • 中国半导体照明标准现状与规划
    [摘要] 本文档为中国电子技术标准化研究所赵英女士在6月份亚洲LED照明高峰论坛上的演讲稿件,关于“中国半导体照明标准现状与规划”,现在共享给读者,目的在于交流与学习。
    下载说明: 下载次数:586次
  • 2011-06-20
  • 1.41M
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