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用TrenchFET IV功率MOSFET系列设计更绿色、更小的电源
[摘要] TrenchFET IV产品用在同步降压转换器中，能够提高整体的系统效率和功率密度。这些产品的更高性能还能够实现更小的设计尺寸，并且有可能使用更少的元器件。总之，这些产品的优点是能够实现更绿色、更高效和小尺寸的电源设计。
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- 2013-06-28
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延长CMOS使用寿命 两大因素
[摘要] 对于模拟CMOS而言，有两大主要危害，其一是静电，其二是过压。因此，要做好CMOS的保护，就需从这两大主要因素入手，避免错误地使用CMOS，从而延长CMOS的使用寿命。本文将介绍该如何有效应对这两大危害。
下载说明: 下载次数：7次
- 2013-06-28
- 0.17M
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TTL电平和CMOS电平总结
[摘要] TTL电路有集电极开路OC门，MOS管也有和集电极对应的漏极开路的OD门，它的输出就叫做开漏输出
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- 2013-06-21
- 0.11M
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应用于负电源的电平位移电路及器件设计
[摘要] 本文设计了一种应用于负电源的电平位移电路。实现从0～8V低压逻辑输入到8～-100V高压驱动输出的转换。分析了该电路的结构和工作原理。基于此电路结构设计了满足应用要求的高压薄膜SOI LDMOS器件。
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- 2013-06-17
- 0.41M
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基于SOI CMOS 工艺的LDO 电路设计
[摘要] 设计了一种1. 8 ～ 3. 3 V 的自偏置LDO 电路，无需外加基准电路，且具有良好的负载调整率和工艺兼容性。该电路采用无需双极型晶体管的基准电路，并且在负载电压和负载电流之间采用电流倍增电路进行隔离，减小了负载电流瞬变造成低压差线性稳压器( LDO) 输出电压的变化，提高了···
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- 2013-06-14
- 0.68M
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一种用于DPA防御的电流平整电路设计
[摘要] 为提高密码芯片抵抗差分功耗分析（DPA）攻击的能力，提出了一种用于DPA防御的新型电流平整电路．电路设计基于0．18μm CMOS工艺，包括电流检测和电流注入补偿2个模块，占用芯片面积9×103μm2．仿真结果表明：该电路能够在较宽的频率范围内有效工作，可以将电源端的电流变化削减···
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- 2013-06-14
- 0.41M
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大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术
[摘要] 功率MOSFET具有导通电阻低、负载电流大的优点，因而非常适合用作开关电源（switch-mode power supplies，SMPS）的整流组件，不过，在选用MOSFET时有一些注意事项。
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- 2013-05-14
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三极管和MOS管做开关用时的区别
[摘要] MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑MOS管。
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- 2013-05-11
- 0.19M
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