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新能源系统研发中超高压测量和超低压信号测量的挑战
[摘要] 新能源及新能源汽车的电子产品研发中,既需要测量超高电压信号,也需要面对非常微弱的小信号测量. 这两种信号波形的幅值类参数的准确测量都是很大的挑战。 我们将从示波器参数测量原理出发,讨论为什么会存在这种挑战及如何应对这个挑战。
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- 2012-06-26
- 3.03M
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分立电阻器检定测试系统的配置
[摘要] 为了确保产品质量，这些测试必须可靠，但为了保持高生产量，测试必须迅速进行。在许多分立电阻器生产测试中，还要使用分立仪器，如电源和数字万用表等。
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- 2012-06-26
- 0.41M
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OLED显示器的DC生产测试
[摘要] 有机发光二极管（OLED）显示器采用了一种新颖的平板技术。它以有机材料涂层构成一个p-n结，当注入的载流子复合时就会发光。
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- 2012-06-26
- 0.83M
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改善4200-SCS型半导体特征化系统的测试速度与总测试时间
[摘要] 该技术笔记为4200-SCS半导体特征化系统的用户提出一些指导与建议，以避免最常见的陷阱、达到更优的测试速度和降低总的测试时间。
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- 2012-06-26
- 8.16M
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利用吉利时2400系列数字源表对二极管生产进行测试
[摘要] 为了保证制造商性能指标的一致性，在出厂前发现并清除有缺陷器件，对封装二极管进行单点通过/失败直流测试至关重要。在最后的检测过程中，大部分类型的二极管要经历至少3种主要的直流参数测试，它们是：前向电压测试(VF)、击穿电压测试(VR)以及漏电流测试(IR)。尽管这些测试的可靠性对于···
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- 2012-06-18
- 0.37M
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碳纳米管和低功耗纳米器件电气特征分析的技巧
[摘要] 目前看来，碳纳米管的潜在用途是无穷无尽的，仅在半导体行业就存在着大量的潜在应用。研究人员已经成功将碳纳米管用于FET开关、消费电子存储器，以及下一代电视机的场发射显示器中。研究人员还在尝试在传感器应用中利用碳纳米管来探测分子颗粒，支持某些国家安全类的应用。此外，人们还在努力探索在···
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- 2012-06-18
- 0.46M
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高k栅介质中电荷俘获行为的脉冲特征分析
[摘要] 本文介绍了电荷俘获的原理以及直流特征分析技术对俘获电荷进行定量分析的局限性。接下来，本文介绍了一种超快的脉冲I-V分析技术，能够对具有快速瞬态充电效应（FTCE）的高k栅晶体管的本征（无俘获）性能进行特征分析。
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- 2012-06-18
- 0.55M
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用于半导体可靠性的短脉冲强制性测试
[摘要] 开发IC让它能工作是一回事；而让它耐用就是另一回事了。随着新技术出现新的可靠性问题，后者变得越来越难。在封装之前，在晶圆上进行脉冲测试会有帮助。
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- 2012-06-18
- 0.37M
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