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PECVD系统
[摘要] PECVD系统
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- 2012-08-08
- 0.08M
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PECVD 沉积氮化硅薄膜在退火过程中的特性变化
[摘要] 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD) ,在单晶硅衬底上生长氮化硅(SiN) 薄膜,再对薄膜进行快速热退火处理,研究了在不同温度下SiN 薄膜的退火特性. 通过椭圆偏振光仪测量了 薄膜厚度和薄膜的折射率,发现退火后薄膜的厚度下降,折射率升高; 采用准稳态光电导衰减QSSP···
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- 2012-06-20
- 0.09M
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PECVDSiN_x薄膜应力的研究
[摘要] 等离子增强化学气相淀积（P lasma2enhanced Chem ical V aper Depo sit ion， PECVD ）SiN x 薄膜在微电子和微机械领域的应用越来越重要。 它的一个重要的物理参数—— 机械应力， 也逐渐被人们所重视。 本文研究了应力跟一些基本的淀···
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- 2012-06-20
- 0.3M
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PECVDSiO_2_Si_3N_4双层膜驻极体性能
[摘要] 本文研究了在带有Cr /Au电极的玻璃衬底上利用PECVD制备的SiO2 /Si3N4 双层膜驻极体性能。针对这种驻极体提出了一个简单的工艺流程暴露出一部分金属电极，并在电晕注极过程中将底电极引出接地。通过实验改变电晕注极过程中的注极时间、温度等因素，希望得到对PECVD制备的S···
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- 2012-06-20
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PECVD沉积SiO_2和SiN_X对p_GaN的影响
[摘要] 在等离子增强化学气相沉积法（PECVD）沉积SiO2 和SiNX 掩蔽层过程中， 分解等离子体中浓度较高的H 原子使Mg- 受主钝化， 同时在p！GaN 材料表面发生反应形成浅施主特性的N+V 空位。高能量离子轰击造成的材料深能级缺陷增多以及沉积形成致密的SiO2 和SiNX 材···
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- 2012-06-20
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PECVD氮化硅薄膜的沉积和退火特性_英文_
[摘要] PECVD氮化硅薄膜的沉积和退火特性_英文_
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- 2012-06-20
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PECVD氮化硅膜的制备及其红外光谱分析
[摘要] PECVD氮化硅膜的制备及其红外光谱分析
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- 2012-06-20
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PECVD低温制备晶化硅薄膜及其机制浅析
[摘要] PECVD低温制备晶化硅薄膜及其机制浅析
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- 2012-06-20
- 0.28M
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