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PECVD沉积SiO_2和SiN_X对p_GaN的影响
[摘要] 在等离子增强化学气相沉积法（PECVD）沉积SiO2 和SiNX 掩蔽层过程中， 分解等离子体中浓度较高的H 原子使Mg- 受主钝化， 同时在p！GaN 材料表面发生反应形成浅施主特性的N+V 空位。高能量离子轰击造成的材料深能级缺陷增多以及沉积形成致密的SiO2 和SiNX 材···
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- 2012-06-20
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Si衬底GaN基材料及器件的研究
[摘要] GaN作为新型的宽禁带半导体材料，一直是国际上化合物半导体方面研究的热点。GaN属于直接带隙材料，可与InN，AlN形成组分连续可变的三元或四元固溶体合金（AlGaN、InGaN、AlInGaN），对应的波长覆盖了红光到近紫外光的范围，而且具有化学稳定性和热稳定性好等优越的特性，···
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- 2011-01-19
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GaN-LED’s on Nano-etched sapphire substrate by metal-organic chemical vapor deposition
[摘要] GaN-LED’s on Nano-etched sapphire substrate by metal-organic chemical vapor deposition
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- 2009-09-17
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立方相GaN外延层的表面起伏和高密度孪晶与六角相
[摘要] 利用扫描电子显微镜(SEM) 、原子力显微镜(AFM) 、透射电子显微镜(TEM) 和X射线衍射(XRD) 技术研究了低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD) 的立方相 GaN/ GaAs (001) 外延层的表面起伏特征,及其与外延层极性和内部六角相、立方相微 孪晶···
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- 2009-07-02
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Efficient deep blue emitters for organic electroluminescent devices
[摘要] Efficient deep blue emitters for organic electroluminescent devices
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- 2009-02-27
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