侵权投诉
您所在的位置:Ofweek首页 > 下载中心 > 电子工程
资源分类
技术
  • IC设计
  • 功率设计
  • MCU/控制技术
  • 嵌入式设计
  • RF/无线
  • 传感技术
  • 接口/总线/驱动/时钟/开关
  • 放大/调整/转换
  • 数字信号处理
  • 开发工具/算法
  • 设计测试
  • EMC/EMI/ESD设计
  • 缓冲/存储技术
  • 封装/测试
  • 可编程逻辑
  • 工艺/制造
  • 网络/协议
  • 光电/显示
  • 其它
厂商
  • ADI
  • IDT
  • Vishay-威世
  • RFMD
  • Panasonic
  • Linear
  • Intel
  • 村田
  • 中兴通讯
  • Austriamicrosystems
  • TE
  • Anadigics
  • Atmel
  • Conexant
  • Hittite
  • Quicklogic
  • NXP
  • Xilinx
  • 华为
  • MentorGraphics
  • Freescale
  • Avago
  • TI
  • Maxim
  • CEL
  • ST
  • Infineon
  • Ember
  • KEITHLEY
  • On Semi
  • 凌力尔特
  • Melexis
  • EMA
类型
  • 文档
  • 软件/源代码
  • 教程
  • 图纸
  • 说明书

共搜索到0个关于“V”下载资料

  • 文件格式
  • 白皮书简介
  • 上线日期
  • 文件大小
  • 24V/5A太阳能控制器设计
    [摘要] 介绍了太阳能电磁的基本原理和伏安特性,提供了一套24V/5A太阳能控制器设计。
    下载说明: 下载次数:14次
  • 2012-06-26
  • 0.17M
  • EKO室内太阳能电池系统
    [摘要] 太阳能电池 I-V 曲线测试系统用于室内测量,主要由太阳模拟器和MP-160I-V 曲线测试仪组成。可选附加的循环冷却系统用于对测试样品温度控制。装配自动电池片装载设备后,可实现连续全自动测量。太阳能电池/组件I-V 曲线测试系统由于其的高精度、高性能,能够满足高端研发需求;也由···
    下载说明: 下载次数:16次
  • 2012-06-20
  • 0.38M
  • PECVD 沉积氮化硅薄膜在退火过程中的特性变化
    [摘要]  采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD) ,在单晶硅衬底上生长氮化硅(SiN) 薄膜,再对薄膜进行快速热退火处理,研究了在不同温度下SiN 薄膜的退火特性. 通过椭圆偏振光仪测量了 薄膜厚度和薄膜的折射率,发现退火后薄膜的厚度下降,折射率升高; 采用准稳态光电导衰减QSSP···
    下载说明: 下载次数:16次
  • 2012-06-20
  • 0.09M
  • PECVDSiN_x薄膜应力的研究
    [摘要] 等离子增强化学气相淀积(P lasma2enhanced Chem ical V aper Depo sit ion, PECVD )SiN x 薄膜在微电子和微机械领域的应用越来越重要。 它的一个重要的物理参数—— 机械应力, 也逐渐被人们所重视。 本文研究了应力跟一些基本的淀···
    下载说明: 下载次数:11次
  • 2012-06-20
  • 0.3M
  • PECVDSiO_2_Si_3N_4双层膜驻极体性能
    [摘要] 本文研究了在带有Cr /Au电极的玻璃衬底上利用PECVD制备的SiO2 /Si3N4 双层膜驻极体性能。针对这种驻极体提出了一个简单的工艺流程暴露出一部分金属电极,并在电晕注极过程中将底电极引出接地。通过实验改变电晕注极过程中的注极时间、温度等因素,希望得到对PECVD制备的S···
    下载说明: 下载次数:8次
  • 2012-06-20
  • 0.34M
  • PECVD沉积SiO_2和SiN_X对p_GaN的影响
    [摘要] 在等离子增强化学气相沉积法(PECVD)沉积SiO2 和SiNX 掩蔽层过程中, 分解等离子体中浓度较高的H 原子使Mg- 受主钝化, 同时在p!GaN 材料表面发生反应形成浅施主特性的N+V 空位。高能量离子轰击造成的材料深能级缺陷增多以及沉积形成致密的SiO2 和SiNX 材···
    下载说明: 下载次数:8次
  • 2012-06-20
  • 0.72M
561条,  当前显示25/71页   上一页  1...  22  23  24  25  26  27  28 ...  71   下一页